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品牌 料号 型号 SODIMM 容量 电压 传输 ODT 特点 规格书
1 SM3-2B4G6LSF8LH-FB DDR3L 1600 CL11 4GB SODIMM 204引脚,小型内置直插式内存模块 4GB (512 Meg x 64) VDD = +1.35V (1.238-1.45V)
VDD = +1.5V (1.425-1.575V)
VDDSPD = +3.0V to +3.6V
PC3-12800 低功耗自动刷新(LPASR) 数据总线的数据总线反转(DBI) 片上VREFDQ生成和校准 SyncMAX内存模块符合JEDEC和RoHS标准。 它们采用真正的高品质存储设备制造,以最大限度地提高产品的兼容性和可靠性。 规格书
2 SM3-4B8G6LSF8LH-FB DDR3L 1600 CL11 8GB SODIMM 204引脚,小型内置直插式内存模块 8GB (512 Meg x 64) VDD = +1.35V (1.238-1.45V)
VDD = +1.5V (1.425-1.575V)
VDDSPD = +3.0V to +3.6V
PC3-12800 低功耗自动刷新(LPASR) 数据总线的数据总线反转(DBI) 片上VREFDQ生成和校准 SyncMAX内存模块符合JEDEC和RoHS标准。 它们采用真正的高品质存储设备制造,以最大限度地提高产品的兼容性和可靠性。 规格书
3 SM3-16C8G64S8LS-FB DDR3L 1600 CL11 4GB SODIMM 240引脚,小型内置直插式内存模块 4GB (512 Meg x 64) VDD = +1.35V (1.238-1.45V)
VDD = +1.5V (1.425-1.575V)
VDDSPD = +3.0V to +3.6V
PC3-12800 低功耗自动刷新(LPASR) 数据总线的数据总线反转(DBI) 片上VREFDQ生成和校准 SyncMAX内存模块符合JEDEC和RoHS标准。 它们采用真正的高品质存储设备制造,以最大限度地提高产品的兼容性和可靠性。 规格书
 
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